产品性能：

 ◆4～8寸晶圆工艺，1～4/5管

 ◆恒温区：800/1000/1250mm

 ◆温度：200～1150℃

 ◆高精度可靠的自动压力控制系统

 ◆自动机械手进出舟，悬臂/软着陆

 ◆晶圆自动倒片，完整的工厂MES系统对接，符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准

 配套工艺：

 ◆干湿氧化、扩散、退火、合金激活，LP-POCl3扩散，镓铝扩散等

 ◆LP多晶硅P-Si，氮化硅Si3N4，氧化硅SiO2

 ◆LP磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG

 ◆LP TEOS，LTO，HTO，SIPOS...

 ◆PE 氮化硅、氧化硅等。

◆LPCVD部分性能

（1）最高工作温度≥1150℃，温度均匀性≤±0.5℃@1150℃；

（2）温度稳定性≤±0.5℃/4h（600℃）；

◆TEOS工艺参数

（1）TEOS均匀性：WIW ≤2% ，WTW ≤2%，RTR ≤2%；

（2）传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤80EA（≥0.3μm），金属离子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤ 1E11 atoms/cm2；

◆Poly工艺参数

（1）Poly厚度均匀性：WIW ≤±2% ，WTW ≤±2%，RTR ≤±2%；

（2）传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤60EA（≥0.3μm），金属离子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤ 1E11 atoms/cm2；

（3）D-Poly 50片/管，厚度均匀性：WIW ≤±5% ，WTW ≤±5%，RTR ≤±5%;

◆LPCVD-Si3N4工艺参数

（1）LPCVD-Si3N4厚度均匀性（片内、片间、批次间）≤2%

（2）传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤60EA（≥0.3μm）；金属离子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2；

（3）低应力 ≤500MPa  5片/管；低应力SiNx均匀性：WIW ≤±4% ，WTW ≤±3%，RTR ≤±3%；

◆LPCVD-BPSG工艺指标

(1)厚度均匀性：WIW ≤±5% ，WTW ≤±5%，RTR ≤±5%；

(2)传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤80EA（≥0.3μm），金属离子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2；

◆温度控制要求：

(1)温度控制方式：三段内外TC双回路温度控制，自动拉温区；

(2)热偶：每管配置profile热偶≥ 1个；spike热偶≥4个（含报警热偶）

(3)温度控制范围：600℃～900℃；

(4)恒温区长度≥800mm；

(5)单点控温精度：≤±1℃（600℃）；

◆工艺气路要求：

(1)TEOS管：包含但不限于N2 ，O2，吹扫N2 ，TEOS；

(2)Poly管：包含但不限于N2 , SiH4,  PH3；

(3)Si3N4管：包含但不限于N2，NH3，SiH2Cl2；

(4)BPSG管：包含但不限于N2，O2，吹扫N2，B源，P源；

(5)气路系统气密性：1×10-7pa.m3/s，气体管道为EP级；

(6)MFC控制精度：MFC精度≤±0.25% FS @ flow range 2%-25%≤±1% SP @ flow range 25%-100%；

◆压力控制要求：

(1)压力控制精度：≤±2 mtorr；

(2)极限真空：≤7.5mtorr；

(3)工艺腔漏率：≤5mtorr/min；

◆传动装置要求：

(1)传动装置采用悬臂桨方式，悬臂桨为带涂层SiC材质，承重≥16kg；

(2)前、后限位开关、极限位开关保护；

(3)伺服电机控制进退，进、出舟速率20-800mm/min，推舟的定位精度≤±1mm；

(4)配置1套导片装置；

氧化退火炉技术参数

◆温度均匀性≤±0.5℃@1150℃

◆温度稳定性≤±0.5℃/4h（800℃）；

◆干氧厚度均匀性（1000A）WIW ≤±2%，WTW ≤±2%，RTR ≤±2%；

◆氢氧合成厚度均匀性（1000A）WIW ≤±2%，WTW ≤±2%，RTR ≤±2%；

◆金属离子污染要求：金属离子污染（退火管）：Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2；金属离子污染（氢氧合成）：Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2；

◆颗粒污染

（1）退火管：传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤40EA（≥0.3μm）；

（2）氢氧合成：传送颗粒污染≤30EA（≥0.3μm），工艺颗粒污染≤40EA（≥0.3μm）；

◆温度控制要求：

(1)温度控制范围：600℃～1150℃；

(2)恒温区长度：800mm；

(3)温度控制方式：三段内外TC双回路温度控制；

(4)单点控温精度：≤±1℃（800℃）；

◆工艺气路要求：

(1)工艺气路（退火管）：包括但不限于N2 ，O2，1路保护N2，携源N2

(2)工艺气路（氢氧合成管）：包括但不限于N2,  H2, O2；携源N2，1路保护N2

(3)气路系统气密性：≤1×10-7pa.m3/s；

(4)MFC精度：≤±0.5% FS @ flow range 2%～25%; ≤±1% SP @ flow range 25%～100%；

◆传动装置要求：

(1)传动装置采用悬臂桨方式，悬臂桨为带涂层SiC材质，承重≥16kg；

(2)前、后限位开关、极限位开关保护；

(3)伺服电机控制进退，保证送料装置平稳运行,进、出舟速率：20-800mm/min,推舟的定位精度：≤±1mm；

(4)配置1套导片装置；