4008-110044
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专业半导体装备制造
产品概述：
设备用于氧化物（氧化镁、氧化镓等）、硫化物（硫化锌等）、砷磷化物（砷化镓、磷化铟等）等化合物材料快速外延生长沉积，可实现多腔互联。未来可升级HVPE+MOCVD方案
产品性能：
◆样品尺寸：4-8英寸
◆控温精度：0.1C
◆厚度均匀性：≤5%
◆反应腔数量：≥2个,可实现多腔互联
◆气体源流量稳定性：≤ ±0.5%
◆工作温度：200～1200℃/2200℃
◆结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）
◆多温区，动态高精度生长条件控制
◆低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）
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