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用于2”4”6”SiC或GaN的高温退火、活化等的特殊工艺。
垂直LPCVD系统用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米器件、光电子器件等领域，12"晶圆的薄膜沉积及参杂等工艺。
垂直氧化LPCVD炉系统用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米器件、光电子器件等领域，6"、8"晶圆的氧化、合金、退火等工艺。
水平氧化扩散炉及LPCVD系统，应用于IC集成电路、MEMS、功率器件、电力电子器件、光电子器件、纳米器件、太阳能电池等领域。
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