4008-110044
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专业半导体装备制造30年
设备特点：
◆适应多种规格尺寸工艺片：小方片、不规则及2、4、6英吋晶圆
◆优化结构设计，占地面积小
◆灵活多样的工艺调整
◆操作使用维护极为方便
◆极高的精度指标及可靠性
配套工艺：
◆适应多种规格尺寸工艺片：小方片、不规则及2、4、6英吋晶圆
◆工艺温度可达2200℃（炉体可达更高的温度）
◆小批量R&D为5片/炉，生产型为50片/炉
◆常压/压力控制，极限＜10-3mbar，工艺压力：1～250mbar
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