氧化/扩散/CVD系列

科研型LPCVD系统 __ 水平系列

    产品性能:
     
    ◆满足2~8(12)寸晶圆工艺
     
    ◆占地面积小,水平多管/立式单管
     
    ◆3温区,300mm,5~25片/批
     
    ◆温度:200~1000℃
     
    配套工艺:
     
    ◆多晶硅P-Si,氮化硅Si3N4,氧化硅SiO2
     
    ◆磷硅玻璃PSG,硼磷硅玻璃BPSG
     
    ◆TEOS,LTO,HTO,SIPOS...